NSVBCP56-10T3G, 100nA 80V 1.5W 63@150mA,2V 1A 130MHz 500mV@500mA,50mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) SOT-223-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVBCP56-10T3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVBCP56-10T3G, 100nA 80V 1.5W 63@150mA,2V 1A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
86
+
Бонус: 1.72 !
Бонусная программа
Итого: 86
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage500 mV
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min63 at 150 mA, 2 V
dc current gain hfe max160 at 150 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity4000
gain bandwidth product ft130 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current1 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-223-4
packagingCut Tape or Reel
партномер8017646326
pd - power dissipation1.5 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
subcategoryTransistors
technologySi
transistor polarityNPN
Время загрузки1:32:10
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль