NSV2SC5658M3T5G, Bipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSV2SC5658M3T5G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSV2SC5658M3T5G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0013
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT GENERAL PURPOSE
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0013
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.560 at 1 mA, 6 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
партномер8005375167
pd - рассеивание мощности260 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки8000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-723-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:09:14
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль