NSV1C201MZ4T1G, Bipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low V sub CE(sat) /sub NPN Bipolar Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSV1C201MZ4T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSV1C201MZ4T1G, Bipolar Transistors - BJT 2.0 ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
These are PbFree Devices NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft100МГц
collector emitter voltage max100В
continuous collector current
dc усиление тока hfe40hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов4вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
maximum collector emitter voltage100 V dc
maximum emitter base voltage7 V dc
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 W
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-223
партномер8007770515
pin count3+Tab
полярность транзистораNPN
power dissipation800мВт
стиль корпуса транзистораSOT-223
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
Время загрузки2:09:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль