NSTB60BDW1T1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота0.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS GP XSTR NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота0.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток150 mA
партномер8008459497
pd - рассеивание мощности256 mW
пиковый постоянный ток коллектора150 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияNSTB60
типичное входное сопротивление22 kOhms
типичный коэффициент деления резистора2.13
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:31:27
Ширина1.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль