NSTB60BDW1T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 150 мА, 22 кОм, 10 кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSTB60BDW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSTB60BDW1T1G, Биполярный цифровой/смещение ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
63
+
Бонус: 1.26 !
Бонусная программа
Итого: 63
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS GP XSTR NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток150 mA
партномер8113566708
pd - рассеивание мощности256 mW
пиковый постоянный ток коллектора150 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияNSTB60
типичное входное сопротивление22 kOhms
типичный коэффициент деления резистора2.13
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:31:25
Ширина1.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль