NST857BDP6T5G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NST857BDP6T5G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота0.37 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота0.37 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.220 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at 2 mA, 5 V
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
партномер8013204526
pd - рассеивание мощности420 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки8000
серияNST857BDP6
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-963-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:09:19
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль