NST847BPDP6T5G, 45V 350mW 100mA NPN+PNP SOT9636 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NST847BPDP6T5G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NST847BPDP6T5G, 45V 350mW 100mA NPN+PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
35
+
Бонус: 0.7 !
Бонусная программа
Итого: 35
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo50 V
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationDual
dc collector/base gain hfe min200 at 2 mA, 5 V at NPN, 220 at 2 mA, 5 V at PNP
dc current gain hfe max200 at 2 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity8000
gain bandwidth product ft100 MHz
height0.37 mm
hts8541.29.00.75
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeFlat
length1 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.1 A
maximum operating temperature+ 150 C
militaryNo
minimum operating temperature- 55 C
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-963-6
package height0.37
package length1
package width0.8
packagingCut Tape or Reel
партномер8008569420
part statusActive
pcb changed6
pd - power dissipation420 mW
pin count6
product categoryBipolar Transistors - BJT
product typeBJTs - Bipolar Transistors
seriesNST847BPDP6T5G
standard package nameSC-89
subcategoryTransistors
supplier packageSOT-963
transistor polarityNPN, PNP
unit weight0.000042 oz
Время загрузки0:14:52
width0.8 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль