NST846BF3T5G, Bipolar Transistors - BJT NPN GP TRANSISTOR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NST846BF3T5G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NST846BF3T5G, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0005
Высота0.37 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN GP TRANSISTOR
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0005
Высота0.37 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина0.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA, 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
партномер8006246342
pd - рассеивание мощности347 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки8000
серияNST846BF3T5G
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-1123-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:09:23
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль