NST65010MW6T1G, Bipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NST65010MW6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NST65010MW6T1G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (VBE) and Current Gain (hFE).
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage-80 V
maximum collector emitter voltage-65 V
maximum dc collector current-100 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation380 mW
minimum dc current gain220
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
package typeSOT-363(SC-88)
партномер8005375154
pin count6
transistor configurationIsolated
transistor typePNP
Время загрузки2:09:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль