NST45011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 45 В, 100 мА, 380 мВт, 150 hFE, SOT-363

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NST45011MW6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NST45011MW6T1G, Массив биполярных ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.016
Высота0.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.016
Высота0.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
партномер8180824788
pd - рассеивание мощности380 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияNST45011MW6T1G
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:09:25
Ширина1.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль