NSS60601MZ4T1G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 2Вт
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS60601MZ4T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 2Вт
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.25 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| Корпус | SOT-223 |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo: | 100 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 300 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 60 V |
| configuration | Single Dual Collector |
| configuration: | Single |
| dc collector/base gain hfe min: | 150 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 6 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| gain bandwidth product ft: | 100 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Gull-wing |
| manufacturer: | onsemi |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.9 0.1A 1A |
| maximum collector base voltage | 100 V |
| maximum collector base voltage (v) | 100 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector emitter voltage | 60 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 60 |
| maximum dc collector current | 6 A |
| maximum dc collector current: | 6 A |
| maximum dc collector current (a) | 6 |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating frequency | 1 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 800 mW |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 100(Min) |
| minimum dc current gain | 150 500mA 2V|120 1A 2V|100 2A 2V|50 6A 2V |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| package / case: | SOT-223-4 |
| package type | SOT-223 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8000677346 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 2 W |
| pin count | 4 |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series: | NSS60601MZ4 |
| standard package name | SOT |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | SOT-223 |
| tab | Tab |
| technology: | Si |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| Время загрузки | 1:32:48 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
