NSS60201LT1G, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS60201LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS60201LT1G, Транзистор
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
84
+
Бонус: 1.68 !
Бонусная программа
Итого: 84
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)8 V
напряжение коллектор-база (vcbo)140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
партномер9000202899
pd - рассеивание мощности540 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияNSS60201LT1G
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:38:25
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль