NSS60200LT1G, Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS60200LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS60200LT1G, Bipolar Transistors - BJT LO V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage-80 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current2 A
maximum emitter base voltage-7 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation540 mW
minimum dc current gain150
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-23
партномер8006256251
pin count3
transistor configurationSingle
transistor typePNP
Время загрузки2:09:02
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль