NSS40301MZ4T1G, Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS40301MZ4T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 40V LOW SAT BP
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.112 |
Высота | 1.57 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
configuration | Single Dual Collector |
длина | 6.5 mm |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant with Exemption |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
конфигурация | Single |
lead shape | Gull-wing |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 1 0.1A 1A |
maximum collector base voltage (v) | 40 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.05 50mA 0.5A|0.1 20mA 1A|0.2 0.3A 3A |
maximum collector-emitter voltage (v) | 40 |
maximum dc collector current (a) | 3 |
maximum emitter base voltage (v) | 6 |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 2000 |
maximum transition frequency (mhz) | 215(Typ) |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 220 0.5A 1V|200 1A 1V|100 3A 1V |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 40 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 40 V |
number of elements per chip | 1 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8005375133 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
ppap | No |
product category | Bipolar Power |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 215 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
серия | NSS40301 |
standard package name | SOT |
supplier package | SOT-223 |
tab | Tab |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
type | NPN |
упаковка / блок | SOT-223-4 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 2:08:22 |
Ширина | 3.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26