NSS40301MDR2G, 100nA 40V 783mW 320@2A,2V 3A 100MHz 82mV@2A,200mA 2 NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOIC-8 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS40301MDR2G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS40301MDR2G, 100nA 40V 783mW 320@2A,2V 3A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 10 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
партномер8017646796
pd - рассеивание мощности783 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки2500
серияNSS40301MD
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOIC-Narrow-8
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:53:03
Ширина4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль