NSS40200LT1G, Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS40200LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS40200LT1G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo-40 V
collector-emitter saturation voltage-0.135 V
collector- emitter voltage vceo max-40 V
configurationSingle
continuous collector current-2 A
dc collector/base gain hfe min250
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector emitter voltage-40 V
maximum dc collector current2 A
maximum emitter base voltage-7 V dc
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation540 mW
minimum dc current gain250
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8005526559
pd - power dissipation460 mW
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesNSS40200L
subcategoryTransistors
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
Время загрузки2:08:26
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль