NSS30201MR6T1G, Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS30201MR6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS30201MR6T1G, Bipolar Transistors - BJT 2A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 2A 30V Low VCEsat
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина3 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.06 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8006216073
pd - рассеивание мощности535 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияNSS30201MR6T1G
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокTSOP-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:49:06
Ширина1.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль