NSS20201LT1G, Bipolar Transistors - BJT Low V sub CE(sat) /sub Transistor, NPN, 20 V, 4.0 A
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NSS20201LT1G
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.008
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft
150МГц
collector emitter voltage max
20В
continuous collector current
2А
dc current gain hfe min
200hFE
dc усиление тока hfe
200hFE
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов
3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура
150 C
монтаж транзистора
Surface Mount
партномер
8006235935
полярность транзистора
NPN
power dissipation
540мВт
стиль корпуса транзистора
SOT-23
уровень чувствительности к влажности (msl)
MSL 1-Безлимитный
Время загрузки
2:07:51
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26