NSS20200LT1G, Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS20200LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS20200LT1G, Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
26
+
Бонус: 0.52 !
Бонусная программа
Итого: 26
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeThe NSS20200LT1G is a 4A PNP Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. • ESD robust• High current gain• High cut-off frequency• Low profile package• Linear gain (Beta)• Improved circuit efficiency• Decreased battery charge time• Reduce component count• High frequency switching• Smaller portable product• No distortion• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft100МГц
collector emitter voltage max20В
continuous collector current
dc current gain hfe min300hFE
dc усиление тока hfe300hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораSurface Mount
партномер8003311291
полярность транзистораPNP
power dissipation710мВт
стиль корпуса транзистораSOT-23
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:14:52
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль