NSS20101JT1G, Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS20101JT1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.0027 |
| Высота | 0.7 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| длина | 1.6 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| hts | 8541.29.00.75 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.1@50mA@0.5A |
| maximum collector base voltage (v) | 40 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.015@0.5mA@10mA|0.22@0.1A@1A|0.115@0.05A@0.5A|0.04@0.01A@0.1A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 20 |
| maximum dc collector current (a) | 2 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 300 |
| maximum transition frequency (mhz) | 350(Typ) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 150@500mA@2V|100@1A@2V|200@10m@2V|200@100mA@2V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 40 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 20 V |
| number of elements per chip | 1 |
| package height | 0.7 |
| package length | 01.06.2024 |
| package width | 0.85 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8006205623 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 350 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | NSS20101J |
| standard package name | SC-89 |
| supplier package | SC-89 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SC-89-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:08:34 |
| Ширина | 0.85 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
