NSS1C301ET4G, Транзистор биполярный TO252

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS1C301ET4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS1C301ET4G, Транзистор биполярный TO252
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
maximum base current (a)0.5
maximum base emitter saturation voltage (v)1@0.1A@1A
maximum collector base voltage (v)140
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2100
maximum transition frequency (mhz)120(Typ)
minimum dc current gain200@0.1A@2V|200@0.5A@2V|120@1A@2V|80@3A@2V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
packagingTape and Reel
партномер8017563541
part statusActive
pcb changed2
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
typeNPN
Время загрузки0:49:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль