NSS1C201MZ4T3G, Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS1C201MZ4T3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS1C201MZ4T3G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:140 V
collector-emitter saturation voltage:180 mV
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:120
dc current gain hfe max:150
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:2 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:SOT-223-4
партномер8006210296
pd - power dissipation:2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:NSS1C201MZ4
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:08:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль