NSS1C200MZ4T3G, Bipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS1C200MZ4T3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS1C200MZ4T3G, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.57 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.57 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина6.5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.150
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
партномер8004739176
pd - рассеивание мощности2000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки4000
серияNSS1C200
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:49:16
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль