NSS12500UW3T2G, Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS12500UW3T2G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS12500UW3T2G, Bipolar Transistors - BJT 2 2 ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0096
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0096
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)12 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток5 A
партномер8005375117
pd - рассеивание мощности875 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияNSS12500UW3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокWDFN3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:49:33
Ширина2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль