Электронные компоненты NSS12500UW3T2G купить в наличии в интернет-магазине ООО «Телеметрия»

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Биполярные транзисторы - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
Высота	0.75 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
длина	2 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	250
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	12 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
непрерывный коллекторный ток	5 A
партномер	8008457653
pd - рассеивание мощности	875 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	NSS12500UW3
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка / блок	WDFN3
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	0:49:33
Ширина	2 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги: