NSS12200LT1G, Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS12200LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS12200LT1G, Bipolar Transistors - BJT 12V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)12 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.13 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8006221326
pd - рассеивание мощности540 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияNSS12200L
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:08:42
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль