NSM80100MT1G, 80V 270mW 120@10mA,1V 500mA PNP SC746 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSM80100MT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSM80100MT1G, 80V 270mW 120@10mA,1V 500mA PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
38
+
Бонус: 0.76 !
Бонусная программа
Итого: 38
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP TRANS & SWCH DIODE
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
квалификацияAEC-Q101
напряжение эмиттер-база (vebo)4 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
непрерывный коллекторный ток500 mA
партномер8022386946
pd - рассеивание мощности400 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки3000
серияNSM80100M
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-74-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:30:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль