NSM4002MR6T1G, Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN TRANSISTORS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSM4002MR6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSM4002MR6T1G, Bipolar Transistors - BJT DUAL ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT DUAL NPN TRANSISTORS
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationDual
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300, 600
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA, 500 mA
maximum base emitter saturation voltage (v)0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA@Q 1
maximum collector base voltage45 V
maximum collector base voltage (v)60@Q 1|50@Q 2
maximum collector cut-off current (na)100@Q 2
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2@1mA@10mA|0.3@5mA@50mA@Q 1|0.7@50mA@500mA@Q 2
maximum collector emitter voltage45 V
maximum collector-emitter voltage (v)40@Q 1|45@Q 2
maximum dc collector current500 mA
maximum dc collector current (a)0.2@Q 1|0.5@Q 2
maximum emitter base voltage5 V, 6 V
maximum emitter base voltage (v)6@Q 1|5@Q 2
maximum operating frequency300 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation260 mW
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)300(Min)@Q 1|100(Min)@Q 2
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V, 5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V, 50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V, 45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV, 700 mV
непрерывный коллекторный ток200 mA, 500 mA
number of elements per chip2
package typeSC-74
packagingTape and Reel
партномер8006220093
part statusActive
pcb changed6
pd - рассеивание мощности500 uW
pin count6
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz, 100 MHz
размер фабричной упаковки3000
standard package nameSOT
supplier packageSC-74
supplier temperature gradeAutomotive
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationComplex
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSC-74-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:07:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль