NSM4002MR6T1G, Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN TRANSISTORS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSM4002MR6T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT DUAL NPN TRANSISTORS
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
configuration | Dual |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 300, 600 |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V |
конфигурация | Dual |
квалификация | AEC-Q101 |
lead shape | Gull-wing |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA, 500 mA |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA@Q 1 |
maximum collector base voltage | 45 V |
maximum collector base voltage (v) | 60@Q 1|50@Q 2 |
maximum collector cut-off current (na) | 100@Q 2 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.2@1mA@10mA|0.3@5mA@50mA@Q 1|0.7@50mA@500mA@Q 2 |
maximum collector emitter voltage | 45 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 40@Q 1|45@Q 2 |
maximum dc collector current | 500 mA |
maximum dc collector current (a) | 0.2@Q 1|0.5@Q 2 |
maximum emitter base voltage | 5 V, 6 V |
maximum emitter base voltage (v) | 6@Q 1|5@Q 2 |
maximum operating frequency | 300 MHz |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 260 mW |
maximum power dissipation (mw) | 300 |
maximum transition frequency (mhz) | 300(Min)@Q 1|100(Min)@Q 2 |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 100 |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V, 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V, 50 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 40 V, 45 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV, 700 mV |
непрерывный коллекторный ток | 200 mA, 500 mA |
number of elements per chip | 2 |
package type | SC-74 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8006220093 |
part status | Active |
pcb changed | 6 |
pd - рассеивание мощности | 500 uW |
pin count | 6 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
ppap | No |
product category | Bipolar Small Signal |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz, 100 MHz |
размер фабричной упаковки | 3000 |
standard package name | SOT |
supplier package | SC-74 |
supplier temperature grade | Automotive |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor configuration | Complex |
transistor type | NPN |
type | NPN |
упаковка / блок | SC-74-6 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 2:07:53 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26