Name: NSBC114YDXV6T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
Brand: ON Semiconductor***
SKU: NSBC114YDXV6T1G

NSBC114YDXV6T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSBC114YDXV6T1G, Bipolar Transistors - ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.003
Высота	0.55 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V Dual NPN

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.003
Высота	0.55 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
aec qualified number	AEC-Q101
automotive	Yes
configuration	Dual
длина	1.6 mm
eccn (us)	EAR99
eu rohs	Compliant
hts	8541.29.00.95
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	80
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
конфигурация	Dual
lead shape	Flat
максимальная рабочая температура	+ 150 C
maximum collector-emitter voltage (v)	50
maximum continuous dc collector current (ma)	100
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	500
military	No
минимальная рабочая температура	55 C
minimum dc current gain	80@5mA@10V
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	Surface Mount
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	0.1 A
package height	0.55
package length	01.06.2024
package width	01.02.2024
packaging	Tape and Reel
партномер	8004652338
part status	Active
pcb changed	6
pd - рассеивание мощности	357 mW
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
pin count	6
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	4000
серия	NSBC114YDXV6
standard package name	SOT
supplier package	SOT-563
типичное входное сопротивление	10 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	0.21
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	ON Semiconductor
type	NPN
typical input resistor (kohm)	10
typical resistor ratio	0.21
упаковка / блок	SOT-563-6
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	2:12:27
Ширина	1.2 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)NSBC114YDXV6T1G NSBC114YDXV6