Name: NSBC114EDXV6T1G, NSBC114EDXV6T1G Dual NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 6-Pin SOT-563
Brand: ON Semiconductor***
SKU: NSBC114EDXV6T1G

NSBC114EDXV6T1G, NSBC114EDXV6T1G Dual NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 6-Pin SOT-563

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSBC114EDXV6T1G, NSBC114EDXV6T1G Dual NPN ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Высота	0.55 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

19 ₽

– +

Бонус: 0.38 !

Бонусная программа

Итого: 19 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThis series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network.

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Высота	0.55 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
base-emitter resistor	10kΩ
длина	1.6 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	35
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	35
конфигурация	Dual
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
maximum collector emitter voltage	50 V
maximum dc collector current	100 mA
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	500 mW
минимальная рабочая температура	55 C
mounting type	Surface Mount
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	0.1 A
number of elements per chip	2
package type	SOT-563
партномер	8014513755
pd - рассеивание мощности	357 mW
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
pin count	6
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	4000
серия	NSBC114EDXV6
типичное входное сопротивление	10 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	1
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Dual
transistor type	NPN
typical input resistor	10 kΩ
typical resistor ratio	1
упаковка / блок	SOT-563-6
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	0:14:59
Ширина	1.2 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)NSBC114EDXV6T1G NSBC114EDXV6