NSBC113EPDXV6T1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота0.55 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS SOT563 RSTR XSTR TR
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота0.55 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.3
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)3
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
партномер8008816018
pd - рассеивание мощности357 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки4000
серияNSBC113EPDXV6
типичное входное сопротивление1 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-563-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:12:33
Ширина1.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль