NSBA123EDXV6T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSBA123EDXV6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSBA123EDXV6T1G, Bipolar Transistors - ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Высота0.55 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V Dual PNP
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Высота0.55 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.8
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8004652333
pd - рассеивание мощности357 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки4000
серияNSBA123EDXV6
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-563-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:05:15
Ширина1.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль