NJW44H11G, Bipolar Transistors - BJT NPN TO-3P POWER TRANS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NJW44H11G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN TO-3P POWER TRANS
Дата загрузки
21.02.2024
Вес и габариты
вес, г
05.05.2024
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
320
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
20 A
минимальная рабочая температура
65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
непрерывный коллекторный ток
10 A
партномер
8004652274
pd - рассеивание мощности
120 W
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
85 MHz
размер фабричной упаковки
30
серия
NJW44H11
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-3P-3
вид монтажа
Through Hole
Время загрузки
0:52:07
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26