NJW21193G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJW21193G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г7.571
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
1 320
+
Бонус: 26.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, PNP, 250V, TO-3P-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-250V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:-16A; DC Current Gain hFE:8hFE; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г7.571
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
applicationautomotive industry
collector- base voltage vcbo400 V
collector current16A
collector- emitter voltage vceo max250 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min20
dc current gain hfe max20 at 8 A at 5 V
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity30
frequency4MHz
gain bandwidth product ft4 MHz
height18.7 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length15.6 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current16 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mountingTHT
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-3P-3
packagingTube
партномер8007202068
pd - power dissipation200 W
power dissipation200W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesNJW21194
transistor polarityPNP
unit weight0.238311 oz
Время загрузки0:58:44
width4.8 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль