Name: NJW0302G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJW0302G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	06.07.2024
Высота	18.7 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

820 ₽

– +

Бонус: 16.4 !

Бонусная программа

Итого: 820 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, 250V, 15A, TO3P; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:-15A; DC Current Gain hFE:75hFE; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	06.07.2024
Высота	18.7 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo	250 V
collector- emitter voltage vceo max	250 V
configuration	Single
dc collector/base gain hfe min	75
dc current gain hfe max	75
длина	15.6 mm
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	30
gain bandwidth product ft	30 MHz
height	18.7 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	75
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	75
конфигурация	Single
length	15.6 mm
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	15 A
manufacturer	ON Semiconductor
maximum collector base voltage	250 V dc
maximum collector emitter voltage	-250 V
maximum dc collector current	15 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating frequency	1 MHz
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	150 W
минимальная рабочая температура	65 C
minimum dc current gain	75
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	Through Hole
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	250 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	250 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
number of elements per chip	1
package / case	TO-3P-3
package type	TO-3P
packaging	Tube
партномер	8002988093
pd - power dissipation	150000 mW
pd - рассеивание мощности	150000 mW
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	30 MHz
размер фабричной упаковки	30
rohs	Details
series	NJW0302
серия	NJW0302
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor polarity	PNP
transistor type	PNP
unit weight	0.238311 oz
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3P-3
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:58:44
Ширина	4.8 мм
width	4.8 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)NJW0302G NJW0302