NJVMJD45H11T4G-VF01, Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD45H11T4G-VF01
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD45H11T4G-VF01, Trans GP BJT PNP 80V 8A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:8 A
dc collector/base gain hfe min:60
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:90 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:8 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DPAK-3
партномер8002272458
pd - power dissipation:20 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MJD45H11
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:07:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль