Name: NJVMJD45H11T4G-VF01, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
Brand: ON Semiconductor***
SKU: NJVMJD45H11T4G-VF01

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD45H11T4G-VF01, Bipolar Transistors - ...

Подробное описание

280 ₽

– +

Бонус: 5.6 !

Бонусная программа

Итого: 280 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.35
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector-emitter saturation voltage:	1 V
collector- emitter voltage vceo max:	80 V
configuration:	Single
continuous collector current:	8 A
dc collector/base gain hfe min:	60
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500
gain bandwidth product ft:	90 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	onsemi
maximum dc collector current:	8 A
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	DPAK-3
партномер	8004739107
pd - power dissipation:	20 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	MJD45H11
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	0:52:14

Отзывов нет

Кнопки

Теги: