NJVMJD45H11T4G, 80V 1.75W 60@2A,1V 8A PNP DPAK Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD45H11T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD45H11T4G, 80V 1.75W 60@2A,1V 8A PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.26
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.26
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector-emitter saturation voltage:-1 V
collector- emitter voltage vceo max:-80 V
configuration:Single
continuous collector current:8 A
dc collector/base gain hfe min:60
emitter- base voltage vebo:-5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:90 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:-8 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:DPAK-3
партномер8012893561
pd - power dissipation:20 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:MJD45H11
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:07:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль