NJVMJD45H11G, Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD45H11G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD45H11G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.35
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ON Semiconductor, NJVMJD45H11G PNP Transistor and Digital Transistor, 8 A 80 V dc, Single, 2 + Tab-Pin DPAK
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.35
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)8A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce40 @ 4A, 1V
frequency - transition90MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
package / caseTO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
packagingTube
партномер8005526467
part statusActive
power - max1.75W
series-
supplier device packageDPAK
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 400mA, 8A
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки0:52:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль