NJVMJD44H11T4G-VF01, 80V 1.75W 40@4A,1V 8A NPN DPAK Bipolar Transistors BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD44H11T4G-VF01
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
частота перехода ft | 85МГц |
collector-emitter saturation voltage: | 1 V |
collector emitter voltage max | 80В |
collector- emitter voltage vceo max: | 80 V |
configuration: | Single |
continuous collector current | 8А |
dc current gain hfe min | 40hFE |
dc усиление тока hfe | 40hFE |
emitter- base voltage vebo: | 5 V |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 2500 |
gain bandwidth product ft: | 85 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
максимальная рабочая температура | 150 C |
manufacturer: | onsemi |
maximum dc collector current: | 8 A |
maximum operating temperature: | +150 C |
minimum operating temperature: | -55 C |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting style: | SMD/SMT |
партномер | 8011660864 |
pd - power dissipation: | 20 W |
полярность транзистора | NPN |
power dissipation | 20Вт |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
series: | MJD44H11 |
стиль корпуса транзистора | TO-252(DPAK) |
subcategory: | Transistors |
technology: | Si |
transistor polarity: | NPN |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
Время загрузки | 0:52:20 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26