NJVMJD44H11T4G-VF01, 80V 1.75W 40@4A,1V 8A NPN DPAK Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD44H11T4G-VF01
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD44H11T4G-VF01, 80V 1.75W 40@4A,1V 8A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft85МГц
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector emitter voltage max80В
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current
dc current gain hfe min40hFE
dc усиление тока hfe40hFE
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:85 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:8 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
партномер8011660864
pd - power dissipation:20 W
полярность транзистораNPN
power dissipation20Вт
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MJD44H11
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:52:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль