NJVMJD44H11T4G, 80V 1.75W 60@2A,1V 8A NPN DPAK Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD44H11T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD44H11T4G, 80V 1.75W 60@2A,1V 8A NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage10 V dc
maximum collector emitter voltage80 V
maximum dc collector current8 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency20 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation20 W
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeDPAK(TO-252)
партномер8011735460
pin count3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
Время загрузки2:07:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль