NJVMJD44H11RLG, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 8А; 20Вт; DPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD44H11RLG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD44H11RLG, Транзистор: NPN; биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.38
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.38
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current8 A
dc collector/base gain hfe min60
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity1800
gain bandwidth product ft85 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current16 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseTO-252-3
packagingReel
партномер8018056610
pd - power dissipation20 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
seriesMJD44H11
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки0:47:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль