NJVMJD32CG, Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD32CG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD32CG, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.35
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.35
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:1.2 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
continuous collector current:3 A
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:75
gain bandwidth product ft:3 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DPAK-3
packaging:Tube
партномер8005374510
pd - power dissipation:15 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:MJD32C
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:07:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль