NJVMJD31CG, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD31CG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD31CG, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:1.2 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
continuous collector current:3 A
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:75
gain bandwidth product ft:3 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DPAK-3
packaging:Tube
партномер8002184759
pd - power dissipation:15 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:MJD31
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:07:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль