Name: NJVMJD31CG, Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Brand: ON Semiconductor***
SKU: NJVMJD31CG

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD31CG, Bipolar Transistors - BJT 3.0 A ...

Подробное описание

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.35
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:	100 V
collector-emitter saturation voltage:	1.2 V
collector- emitter voltage vceo max:	100 V
configuration:	Single
continuous collector current:	3 A
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	75
gain bandwidth product ft:	3 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	onsemi
maximum dc collector current:	3 A
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-65 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	DPAK-3
packaging:	Tube
партномер	8004739102
pd - power dissipation:	15 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
series:	MJD31
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	0:48:05

Отзывов нет

Кнопки

Теги: