NJVMJD31CG, Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD31CG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD31CG, Bipolar Transistors - BJT 3.0 A ...
190
+
Бонус: 3.8!
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
ON Semiconductor***

Обзор

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Характеристики

Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.35
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:1.2 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
continuous collector current:3 A
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:75
gain bandwidth product ft:3 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DPAK-3
packaging:Tube
партномер8004739102
pd - power dissipation:15 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:MJD31
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:48:05
Отзывов нет

Реквизиты

Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль