NJVMJD243T4G, DPAK-3 Audio Power OpAmps ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJD243T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJD243T4G, DPAK-3 Audio Power OpAmps ROHS
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.46
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.46
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage300 mV
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current4 A
dc collector/base gain hfe min40 at 200 mA, 1 VDC
dc current gain hfe max180 at 200 mA, 1 VDC
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity2500
gain bandwidth product ft40 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current8 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseDPAK-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8017646786
pd - power dissipation12.5 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
seriesMJD243
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки0:48:05
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль