Name: NJVMJB41CT4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Brand: ON Semiconductor***
SKU: NJVMJB41CT4G

NJVMJB41CT4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJB41CT4G, Биполярный транзистор, NPN ...

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.4
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

350 ₽

– +

Бонус: 7 !

Бонусная программа

Итого: 350 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 6A 100V TR

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.4
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft	3МГц
collector emitter voltage max	100В
continuous collector current	6А
dc current gain hfe min	15hFE
dc усиление тока hfe	15hFE
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	75 at 3 A at 4 V
количество выводов	3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20 at 0.5 A at 10 V
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	150°C
максимальный постоянный ток коллектора	6 A
минимальная рабочая температура	65 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
партномер	8003150585
pd - рассеивание мощности	65 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power dissipation	65Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	3 MHz
размер фабричной упаковки	800
серия	MJB41C
стиль корпуса транзистора	TO-263(D2PAK)
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка / блок	D2PAK-3
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	0:52:33

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MJB41C NJVMJB41CT4G