NJD35N04G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJD35N04G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.65
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
730
+
Бонус: 14.6 !
Бонусная программа
Итого: 730
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:90MHz; Power Dissipation Pd:45W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:300hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.65
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo700 V
collector- emitter voltage vceo max350 V
configurationSingle
continuous collector current4 A
dc collector/base gain hfe min2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity2500
height2.38 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length6.73 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current4 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseTO-252-3(D-PAK)
packagingReel
партномер8002989407
pd - power dissipation45 W
product categoryDarlington Transistors
rohsDetails
seriesNJD35N04
transistor polarityNPN
Время загрузки0:58:47
width6.22 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль